发布日期：2021-5-10 来源：本站 返回列表
本发明涉及一种高热导率反应烧结碳化硅陶瓷材料及其制备方法,它由以下质量百分比的原料组成,碳化硅 50 90wt.%,石墨烯 0.5 12.5wt.%,炭粉 5 15wt.%,表面活性剂 1 3wt.%,分散剂 0.5 2.5wt.%,粘结剂 0.3 1.5wt.%;上述原料经混合、成型、真空条件下于温度 1650 1800℃反应烧结 8~12 小时,制得。本发明制得的 SiC 陶瓷材料硬度高、热膨胀系数低、热导率高,材料性能更加均匀、一致,提高了材料的服役可靠性。
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